Silizio kristalezko prozesuaren iragazketa silizio kristalezko prozesuan iragazketa teknologia erabiltzeari egiten dio erreferentzia, ezpurutasunak eta ezpurutasun partikulak kentzeko, horrela silizio kristalen purutasuna eta kalitatea hobetuz. Silizio kristalezko prozesuan erabili ohi diren iragazketa metodoen artean hauek daude:
1.Hutsean iragaztea:Murgildu silizio kristalak hutsean eta erabili xurgatze-hutsuneak likidotik ezpurutasunak kentzeko. Metodo honek ezpurutasun eta partikula gehienak eraginkortasunez ken ditzake, baina ezin ditu partikula txikiak erabat kendu.
2. Iragazketa mekanikoa:Siliziozko kristalak iragazki-euskarrietan murgilduz, hala nola iragazki-paperean, iragazki-bahean, etab., ezpurutasunak eta partikulak iragazten dira iragazki-euskarriaren mikroporoen tamaina erabiliz. Metodo hau egokia da partikula handien ezpurutasunak iragazteko.
3. Iragazketa zentrifugoa:Zentrifugatzaile bat biratuz, likidoan dauden ezpurutasunak eta partikulak zentrifugazio-hodiaren hondora hauspeatzen dira indar zentrifugoa erabiliz, horrela iragazketa lortuz. Metodo hau egokia da partikula txikiak eta esekiduretan dauden partikulak kentzeko.
4. Presio bidezko iragazketa:Presioa erabiliz likidoa iragazki-euskarritik pasatzen da, horrela ezpurutasunak eta partikulak iragaziz. Metodo honek likido kantitate handia azkar iragaz dezake eta partikula-tamainari buruzko muga batzuk ditu.
Silizio kristalen iragazketa silizio kristalen purutasuna eta kalitatea hobetzean datza, eta hori funtsezkoa da kalitate handiko erdieroale gailuak fabrikatzeko. Iragazki eraginkorraren bidez, silizio kristalen ezpurutasun edukia murriztu daiteke, akatsak murriztu, kristalen hazkuntzaren uniformetasuna eta kristal egituraren osotasuna hobetu, eta horrela erdieroale gailuen errendimendua eta fidagarritasuna hobetu.
Silizio kristala silizio atomoz osatutako kristal-egitura duen material bati egiten dio erreferentzia, eta erdieroale material garrantzitsua da. Silizio kristalek propietate elektriko eta termiko bikainak dituzte eta oso erabiliak dira gailu optoelektronikoetan, erdieroale gailuetan, eguzki-paneletan, zirkuitu integratuetan eta beste produktu batzuetan.
Argitaratze data: 2024ko ekainaren 24a