सिलिकॉन क्रिस्टल प्रक्रिया गाळण्याची प्रक्रिया म्हणजे सिलिकॉन क्रिस्टल प्रक्रियेत गाळण्याची प्रक्रिया तंत्रज्ञानाचा वापर करून अशुद्धता आणि अशुद्धता कण काढून टाकणे, ज्यामुळे सिलिकॉन क्रिस्टल्सची शुद्धता आणि गुणवत्ता सुधारते. सिलिकॉन क्रिस्टल प्रक्रियेत सामान्यतः वापरल्या जाणाऱ्या गाळण्याच्या पद्धतींमध्ये खालील गोष्टींचा समावेश आहे:
1.व्हॅक्यूम फिल्टरेशन:सिलिकॉन क्रिस्टल्स व्हॅक्यूममध्ये बुडवा आणि द्रवातील अशुद्धता फिल्टर करण्यासाठी व्हॅक्यूम सक्शन वापरा. ही पद्धत बहुतेक अशुद्धता आणि कण प्रभावीपणे काढून टाकू शकते, परंतु लहान कण पूर्णपणे काढून टाकू शकत नाही.
२. यांत्रिक गाळण्याची प्रक्रिया:फिल्टर पेपर, फिल्टर स्क्रीन इत्यादी फिल्टर माध्यमांमध्ये सिलिकॉन क्रिस्टल्स बुडवून, फिल्टर माध्यमाच्या सूक्ष्म छिद्र आकाराचा वापर करून अशुद्धता आणि कण फिल्टर केले जातात. ही पद्धत मोठ्या कणांच्या अशुद्धता फिल्टर करण्यासाठी योग्य आहे.
३. केंद्रापसारक गाळण्याची प्रक्रिया:सेंट्रीफ्यूज फिरवून, द्रवातील अशुद्धता आणि कण सेंट्रीफ्यूज ट्यूबच्या तळाशी केंद्रापसारक शक्तीचा वापर करून प्रक्षेपित केले जातात, ज्यामुळे गाळण्याची प्रक्रिया साध्य होते. ही पद्धत लहान कण आणि सस्पेंशनमधील कण काढून टाकण्यासाठी योग्य आहे.
४. दाब गाळणे:फिल्टरिंग माध्यमातून द्रव जाण्यासाठी दाब वापरणे, ज्यामुळे अशुद्धता आणि कण फिल्टर होतात. ही पद्धत मोठ्या प्रमाणात द्रव द्रुतपणे फिल्टर करू शकते आणि कणांच्या आकारावर काही मर्यादा आहेत.
सिलिकॉन क्रिस्टल फिल्ट्रेशनचे महत्त्व सिलिकॉन क्रिस्टल्सची शुद्धता आणि गुणवत्ता सुधारण्यात आहे, जे उच्च-गुणवत्तेच्या अर्धवाहक उपकरणांच्या निर्मितीसाठी महत्त्वपूर्ण आहे. प्रभावीपणे फिल्टरिंग करून, सिलिकॉन क्रिस्टल्समधील अशुद्धता कमी करता येते, दोष कमी करता येतात, क्रिस्टल वाढीची एकसमानता आणि क्रिस्टल संरचनेची अखंडता सुधारता येते, ज्यामुळे अर्धवाहक उपकरणांची कार्यक्षमता आणि विश्वासार्हता सुधारते.
सिलिकॉन क्रिस्टल म्हणजे अशा पदार्थाचा संदर्भ ज्याची क्रिस्टल रचना सिलिकॉन अणूंनी बनलेली असते आणि ती एक महत्त्वाची अर्धसंवाहक सामग्री असते. सिलिकॉन क्रिस्टल्समध्ये उत्कृष्ट विद्युत आणि थर्मल गुणधर्म असतात आणि ते ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणे, अर्धसंवाहक उपकरणे, सौर पॅनेल, एकात्मिक सर्किट आणि इतर उत्पादनांमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले जातात.
पोस्ट वेळ: जून-२४-२०२४